Görsel mevcut değil
IKD06N60RAATMA2
IKD06N60RAATMA2 Hakkında
IKD06N60RAATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 12A sürekli collector akımı ve 18A pulse akımı ile çalışabilmektedir. 100W güç kapasitesine sahip olan transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC/DC konvertörlerde ve güç kaynakları tasarımında kullanılır. 48nC gate charge ve 127ns kapatma gecikmesi (Td off) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı gösterir. Standart input türü ve Surface Mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V