Görsel mevcut değil
IKD06N60RAATMA1
IKD06N60RAATMA1 Hakkında
IKD06N60RAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 600V durdurma voltajı ve 12A sürekli kolektör akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücüler, hava kompresörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 48nC gate charge ve düşük açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 2.1V @ 15V, 6A Vce(on) değeri ve 100W maksimum güç tüketimi ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
110µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V