Görsel mevcut değil
IKD06N60R
IKD06N60R Hakkında
IKD06N60R, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/12A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 48 nC gate charge ve 100W maksimum güç yeteneğine sahiptir. -40°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6A akım için 2.1V olarak belirlenmiştir. 68 ns reverse recovery time ve 330µJ switching energy özellikleri ile güç dönüştürücü, motor kontrol ve fotovoltaik sistemleri gibi anahtarlamaya dayalı elektrik devrelerine uygundur. Pulsed collector akımı 18A'e kadar çıkabilmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
330µJ
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V