IKD04N60RFATMA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3

IKD04N60RFATMA1 Hakkında

IKD04N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli Trench tipi IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27 nC gate charge ve 60µJ/50µJ switching energy değerleriyle kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında, maksimum 75W güç tüketebilir. 34 ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, ışık denetimi ve endüstriyel konvertör uygulamalarında tercih edilir.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 8 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A

Gate Charge 27 nC

IGBT Type Trench

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Active

Power - Max 75 W

Reverse Recovery Time (trr) 34 ns

Supplier Device Package PG-TO252-3

Switching Energy 60µJ (on), 50µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 12ns/116ns

Test Condition 400V, 4A, 43Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V