Görsel mevcut değil
IKD04N60RFAATMA1
IKD04N60RFAATMA1 Hakkında
IKD04N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 8A sabit kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç yeteneği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 4A akımda 2.5V'tur. 27nC gate yükü ve 60µJ açılış / 50µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile düşük kayıplı devreler tasarlanabilir. -40°C ile 175°C aralığında çalışabilir. Endüstriyel sürücüler, adaptörler ve SMPS uygulamalarında tercih edilir. Part Status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
60µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/116ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V