Görsel mevcut değil
IKD04N60RATMA1
IKD04N60RATMA1 Hakkında
IKD04N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 600V kolektör-emitter açılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 8A sürekli kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 27nC gate yükü ve 43ns ters toparlanma süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
90µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/146ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V