Görsel mevcut değil
IKD04N60RAATMA1
IKD04N60RAATMA1 Hakkında
IKD04N60RAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç seviyesinde çalışabilen transistör, -40°C ile 175°C arasındaki sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. 27nC gate charge ve 14ns/146ns açılış/kapanış zamanı ile enerji verimli devre tasarımlarında yer alır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A collector akımında 2.1V'tur. Reverse recovery time 43ns olup, switching energy ise 90µJ (açılış) ve 150µJ (kapanış) seviyesindedir. Ürün aşamalı olarak üretim dışı bırakılmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
90µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/146ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V