Görsel mevcut değil
IKD04N60R
IKD04N60R Hakkında
IKD04N60R, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistörüdür. 8A sürekli kolektör akımı ve 12A pulse akımı ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılmaktadır. TO-252-3 (DPak) kasa ile yüzey montajlı olarak sunulmaktadır. 27nC gate charge ve düşük geçiş süresi (Td on/off: 14ns/146ns) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalara uygunluk sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 2.1V Vce(on) değeri ve 43ns reverse recovery time ile verimli komütasyon özelliği sunar. Güç kaynakları, invertörler ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
240µJ
Td (on/off) @ 25°C
14ns/146ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V