Görsel mevcut değil
IKD03N60RFATMA1
IKD03N60RFATMA1 Hakkında
IKD03N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emiter breakdown voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 6.5A maksimum kolektör akımı ve 7.5A pulse akımı kapasitesine sahip olan bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 17.1nC gate yükü ve 50µJ on / 40µJ off switching enerji değerleriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve AC/DC kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 2.5V(on) saturation voltajı ve 31ns reverse recovery time ile verimli performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
7.5 A
Gate Charge
17.1 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
53.6 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
50µJ (on), 40µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
10ns/128ns
Test Condition
400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V