Görsel mevcut değil
IKD03N60RFAATMA1
IKD03N60RFAATMA1 Hakkında
IKD03N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/5A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 53.6W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 17.1nC gate charge ve 31ns reverse recovery time özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 2.5V @ 15V, 2.5A ile tanımlanan Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynağı ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılan bir IGBT çözümüdür. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
7.5 A
Gate Charge
17.1 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
53.6 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
50µJ (on), 40µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
10ns/128ns
Test Condition
400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V