Görsel mevcut değil
IKB40N65ES5ATMA1
IKB40N65ES5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB40N65ES5ATMA1, 650V çalışma gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A nominal kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş kayıpları sağlar. 95nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde tedarik edilen transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışır. 230W maksimum güç saçabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.74V Vce(on) değeri ile verimli çalışma karakteristiğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
79 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
230 W
Reverse Recovery Time (trr)
73 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
860µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/130ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.74V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V