IKB40N65EH5ATMA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-263-3
Açıklama: 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB

IKB40N65EH5ATMA1 Hakkında

IKB40N65EH5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 250W maksimum güç kapasitesi ve 160A puls akımı ile güç dönüştürme devrelerinde, inverter uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve kaynak makinelerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 74 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A

Gate Charge 95 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Part Status Active

Power - Max 250 W

Reverse Recovery Time (trr) 78 ns

Supplier Device Package PG-TO263-3

Switching Energy 1.1mJ (on), 400µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 20ns/157ns

Test Condition 400V, 40A, 15Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V