Görsel mevcut değil
IKB30N65ES5ATMA1
IKB30N65ES5ATMA1 Hakkında
IKB30N65ES5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/62A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak imalatlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum darbe collector akımı 120A, gate charge değeri 70nC olup, 75ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. Anahtarlama enerjileri 560µJ (açılış) ve 320µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 188W maksimum güç kapasite sunmaktadır. 1.7V Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A collector akımında ölçülmüştür. Güç elektroniği uygulamalarında, inverter, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
62 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
560µJ (on), 320µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/124ns
Test Condition
400V, 30A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V