Görsel mevcut değil
IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5ATMA1 Hakkında
IKB30N65EH5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 55A sürekli akım ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 188W güç dissipasyonuna ve -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (70nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (on: 24ns, off: 159ns) ile güç dönüştürücüsü uygulamalarında, invertörler, motor sürücüleri ve kaynak cihazlarında kullanılır. 2.1V düşük Vce(on) değeri ısıl performansı iyileştirir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
870µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/159ns
Test Condition
400V, 30A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
İlgili Ürünler
