Görsel mevcut değil
IKB20N60H3ATMA1
IKB20N60H3ATMA1 Hakkında
IKB20N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 40A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 170W maksimum güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 120nC gate charge ve 112ns reverse recovery time ile, endüstriyel sürücüler, invertör uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 16ns açılış ve 194ns kapanış süreleri ile hızlı komütasyona olanak tanır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
170 W
Reverse Recovery Time (trr)
112 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
690µJ
Td (on/off) @ 25°C
16ns/194ns
Test Condition
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V