Görsel mevcut değil
IKB15N65EH5ATMA1
IKB15N65EH5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB15N65EH5ATMA1, 650V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir tekil IGBT transistördür. 30A maksimum kolektör akımı ve 45A pulslu akım kapasitesi ile elektrik dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 105W maksimum güç dağıtımı ile özellikle endüstriyel denetçiler, güç kaynakları, solar inverter ve elektrikli araç sürücülerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 38nC Gate Charge ve 400µJ açılış/80µJ kapanış switching enerjisi ile enerji verimliliğine odaklanmış tasarımlarda kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
38 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
105 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
400µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/145ns
Test Condition
400V, 15A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V