Görsel mevcut değil
IKB15N60TATMA1
IKB15N60TATMA1 Hakkında
IKB15N60TATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 30A IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu komponent, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 130W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 87 nC olan bu transistör, 17ns açılış ve 188ns kapanış süresi gösterir. Reverse recovery time 34 ns olup, switching energy 570µJ'dır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel sürücü uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 15A akım için 2.05V'tur. Pinned version part status aktiftir ve üretime devam etmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
87 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
130 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
570µJ
Td (on/off) @ 25°C
17ns/188ns
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V