Görsel mevcut değil
IKB03N120H2ATMA1
IKB03N120H2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB03N120H2ATMA1, 1200V kolektör-emiter breakdown voltajına ve 9.6A maksimum kolektör akımına sahip bir IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 62.5W güç yönetimi kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 22nC gate charge ve 9.2ns/281ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Vce(on) 2.8V @ 15V, 3A koşullarında ölçüldüğünde düşük iletim kaybı gösterir. 42ns ters kurtarma süresi ile güç elektronikleri, motor sürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V