Görsel mevcut değil
IKA08N65H5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 10.8A TO220-3
IKA08N65H5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKA08N65H5XKSA1, 650V katma değerli IGBT transistördür. TO-220-3 paketlemesiyle sunulan bu komponent, 10.8A maksimum collector akımı ve 24A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 2.1V on-state voltajı ve 22nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Operating temperature aralığı -40°C ile 175°C arasında değişir. Switching energy değerleri (70µJ on, 30µJ off) ile düşük kayıplı tasarımlar için uygundur. Reverse recovery time 40ns olup, güç dönüştürücü, AC/DC konverter ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through hole montajı ile endüstriyel elektronik sistemlerine entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10.8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
31.2 W
Reverse Recovery Time (trr)
40 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-111
Switching Energy
70µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/115ns
Test Condition
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V