Görsel mevcut değil
IHW50N65R6XKSA1
IHW50N65R6XKSA1 Hakkında
IHW50N65R6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/100A rated IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, ev aletleri ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 199 nC gate charge ve düşük Vce(on) (1.6V @ 15V, 50A) değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 108 ns reverse recovery time ve 1.5mJ açılış/660µJ kapanış switching energy özellikleri ile hızlı komütasyon yapabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 251W güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
199 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
251 W
Reverse Recovery Time (trr)
108 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
1.5mJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/261ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V