Görsel mevcut değil
IHW40N65R6XKSA1
IHW40N65R6XKSA1 Hakkında
IHW40N65R6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT transistörüdür. Maksimum 83A collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 through hole paketinde sunulan bu komponent, 210W maksimum güç yönetebilir. -40°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığına dayanıklı olup, ev aletleri, endüstriyel uygulamalar ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 159nC gate charge, 99ns reverse recovery time ve 1.6V @ 15V, 40A Vce(on) değerleriyle verimli anahtarlama özellikleri sunar. 400V, 40A, 10Ohm, 15V test koşullarında karakterize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
83 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
159 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
210 W
Reverse Recovery Time (trr)
99 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
1.1mJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/211ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V