Görsel mevcut değil
IHW30N65R6XKSA1
IHW30N65R6XKSA1 Hakkında
IHW30N65R6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 65A DC kollektör akımı (90A pulslu) kapasitesine sahiptir. 163W güç dağılımına ve 400V/30A/10Ohm test koşullarında 1.6V maksimum Vce(on) gerilimine sahip olup, geniş -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Elektrik süpürgeleri, fırınlar ve diğer ev aletleri gibi AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 120nC gate charge ve düşük anahtarlama enerjisi (730µJ on, 260µJ off) ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
65 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
163 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
730µJ (on), 260µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/161ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V