IHW30N135R5XKSA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: HOME APPLIANCES 14

IHW30N135R5XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IHW30N135R5XKSA1, 1350V Collector-Emitter breakdown voltajında çalışan Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 60A maksimum DC collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesiyle ev aletleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sağlanan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.95V Vce(on) değeri ve 310ns off-time karakteristiği ile verimli anahtarlama performansı sunar. 235nC gate charge ile kontrol devresi tasarımında düşük kayıplar sağlar.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 60 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A

Gate Charge 235 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 330 W

Supplier Device Package PG-TO247-3

Switching Energy 1.4mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C -/310ns

Test Condition 600V, 30A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350 V