IHW30N120R5XKSA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: HOME APPLIANCES 14

IHW30N120R5XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IHW30N120R5XKSA1, 1200V/60A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, ev aletleri ve endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması görevini üstlenir. 330W maksimum güç sınırı, 235nC gate charge değeri ve 330ns off switching time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır, Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 1.85V'tur. Düşük switching energy (1.1mJ) sayesinde enerji verimliliği yüksektir ve ısıl yönetimi basitleştirir.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 60 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A

Gate Charge 235 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 330 W

Supplier Device Package PG-TO247-3

Switching Energy 1.1mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C -/330ns

Test Condition 600V, 30A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V