Görsel mevcut değil
IHW30N100R
IHW30N100R Hakkında
IHW30N100R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1000V 60A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 412W maksimum güç dissipasyonu ve 846ns kapalı durumda geçiş zamanı ile endüstriyel şalter kaynakları, klima kompresörleri, elektrikli araç motor denetleyicileri ve UPS sistemlerinde yer alır. Maksimum collector-emitter gerilimi 1000V, gate yükü 209nC ve Vce(on) değeri 1.7V @ 15V, 30A'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Bileşen Infineon tarafından üretilmemekte olup eski üretim lotlarında bulunabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
209 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
412 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/846ns
Test Condition
600V, 30A, 26Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V