Görsel mevcut değil
IHW25N120E1XKSA1
IHW25N120E1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW25N120E1XKSA1, 1200V kolektör-emiter kesintisiz voltajına sahip NPT/Trench teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı (75A darbe akımı) ile tasarlanan bu bileşen, güç dönüştürme, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketi ile montajlanmakta olup, -40°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 2V maksimum gate-emiter açılış voltajı (Vce(on)) ve 147nC gate yükü özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemi sağlar. 231W maksimum güç dağılım kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
147 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
231 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
800µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V