Görsel mevcut değil
IHW20N65R5XKSA1
IHW20N65R5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N65R5XKSA1, 650V Collector-Emitter gerilim sınırı ve 40A maksimum kolektör akımı ile çalışan yalıtım tabakası bipolar transistöründür (IGBT). TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 150W maksimum güç kapasitesi ve 97nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon karakteristiği sunar. -40°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, endüstriyel şebekeler, motor kontrol uygulamaları, inverter devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
97 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
300µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/250ns
Test Condition
400V, 10A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V