Görsel mevcut değil
IHW20N135R5XKSA1
IHW20N135R5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N135R5XKSA1, 1350V breakdown voltajında çalışan yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 40A DC akım ve 60A pulse akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 170nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmakta, 235ns off-delay süresi ile yüksek frekans işlemlerine uygun tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil çalışır. İnverter, konverter, kaynak makineleri ve endüstriyel motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
170 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
288 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/235ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V