Görsel mevcut değil
IHW20N120R5XKSA1
IHW20N120R5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N120R5XKSA1, 1200V kesme voltajına ve 40A sürekli collector akımına sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, kaynak makineleri, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve enerji dönüştürücülerde kullanılır. 1.75V Vce(on) seviyesi ile düşük açık durum kaybına sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 170nC gate charge ve 260ns kapalı duruma geçiş zamanı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 288W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 60A darbe collector akımı desteği ile sağlam bir tasarım tercihidir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
170 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
288 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
750µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/260ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V