Görsel mevcut değil
IHW20N120R2
IHW20N120R2 Hakkında
IHW20N120R2, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V NPT Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 40A sürekli collector akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç kapasitesi 330W'tır. 1.75V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 143nC gate charge ve 359ns kapanış hızı özellikleri sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılan bir transistördür. Ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
143 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
1.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/359ns
Test Condition
600V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V