Görsel mevcut değil
IHW15N120E1XKSA1
IHW15N120E1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IHW15N120E1XKSA1, 1200V NPT/TRENCH yapılı IGBT transistördür. 30A DC collector akımı ve 45A pulsed akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2V @ 15V, 15A koşullarında Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 90 nC olup, maksimum 156W güç dağıtabilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel konverterler, motor kontrol sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Aktif ürün statüsü ile üretilmektedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
300µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V