Görsel mevcut değil
IHFW40N65R5SXKSA1
IHFW40N65R5SXKSA1 Hakkında
IHFW40N65R5SXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 61A sürekli collector akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 108W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 142nC gate charge ve 363ns turn-off delay ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, enerji dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi yüksek frekanslı switching uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
61 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
142 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
108 W
Reverse Recovery Time (trr)
103 ns
Supplier Device Package
PG-HSIP247-3-2
Switching Energy
1.52mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
44ns/363ns
Test Condition
400V, 40A, 23.1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V