Görsel mevcut değil
IHD10N60RA
IHD10N60RA Hakkında
IHD10N60RA, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. 20A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110W maksimum güç yeteneği ve 1.9V(max) Vce(on) değeri ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate Charge 62nC, Switching Energy 270µJ olarak belirtilmiştir. Bileşen obsolete statüsünde bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
62 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
110 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
270µJ
Td (on/off) @ 25°C
-/170ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V