Görsel mevcut değil
IGW75N65H5XKSA1
IGW75N65H5XKSA1 Hakkında
IGW75N65H5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 120A sürekli kolektör akımı ve 300A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V kapı gerilimi ve 75A akımda 2.1V'dir. Switching energy değerleri 2.25mJ (açılış) ve 950µJ (kapanış) olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve inverter uygulamalarında kullanılır. Through hole montajı ile kalıcı bağlantı sağlar. Maksimum 395W güç saçabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
160 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
2.25mJ (on), 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/174ns
Test Condition
400V, 75A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V