Görsel mevcut değil
IGW25T120FKSA1
IGW25T120FKSA1 Hakkında
IGW25T120FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A IGBT transistördür. NPT Trench Field Stop teknolojisine sahip bu tekil transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketlemesi ile sağlanan komponent, 190W maksimum güç disipasyonuna ve 2.2V VCE(on) gerilim düşüşüne sahiptir. 50ns açılış ve 560ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 155nC gate yükü ile düşük sürücü gücü gerektirir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
155 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
190 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
4.2mJ
Td (on/off) @ 25°C
50ns/560ns
Test Condition
600V, 25A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V