Görsel mevcut değil
IGW15N120H3FKSA1
IGW15N120H3FKSA1 Hakkında
IGW15N120H3FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A nominal ve 60A darbe kollektör akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketlemesiyle Through Hole montajını destekler. 217W maksimum güç dağıtımı ve 2.4V düşük gate-emitter gerilimi ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde tercih edilmektedir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. 75nC gate charge ve 21ns/260ns açılış-kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
75 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
217 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
1.55mJ
Td (on/off) @ 25°C
21ns/260ns
Test Condition
600V, 15A, 35Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V