Görsel mevcut değil
IGP40N65F5XKSA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 74A TO220-3
IGP40N65F5XKSA1 Hakkında
IGP40N65F5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 74A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 255W güç yönetebilen transistör, 2.1V Vce(on) değeriyle düşük geçiş kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüler, kaynak makineleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 95nC gate charge ve 19ns/160ns on/off gecikme zamanları ile kontrollü anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
360µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/160ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V