Görsel mevcut değil
IGD15N65T6ARMA1
IGD15N65T6ARMA1 Hakkında
IGD15N65T6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç dağıtımına sahiptir. -40°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığına uygun, şalter uygulamaları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanım için tasarlanmıştır. 37nC gate charge ve düşük switching energy değerleri ile hızlı komütasyon performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
57.5 A
Gate Charge
37 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
230µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/117ns
Test Condition
400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 11.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V