Görsel mevcut değil
IGD10N65T6ARMA1
IGD10N65T6ARMA1 Hakkında
IGD10N65T6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V Collector-Emitter diyelectric dayanımı ve maksimum 23A DC kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile anahtarlama ve PWM uygulamalarında yer alır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar sağlar. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama hızı (30ns açılış, 106ns kapanış) ile güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
42.5 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
200µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/106ns
Test Condition
400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 8.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V