Görsel mevcut değil
IGD01N120H2BUMA1
IGD01N120H2BUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGD01N120H2BUMA1, 1200V breakdown voltajına ve 3.2A maksimum collector akımına sahip bir IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 28W güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Vce(on) karakteristiği 15V gate voltajında 1A akımda 2.8V'dur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, şu andaki stok durumu "Last Time Buy" olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3.5 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
28 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
140µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/370ns
Test Condition
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V