Görsel mevcut değil
IGC54T65R3QEX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IGC54T65R3QEX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGC54T65R3QEX1SA1, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu transistör, 650V kolektör-emiter gerilimi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 100A nominal akım ve 300A darbe akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına dayanıklıdır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, Die paketinde sunulur ve Surface Mount montaj tipiyle entegrasyonu kolaylaştırır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.22V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V