Görsel mevcut değil
IGC50T120T8RQX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A DIE
IGC50T120T8RQX1SA1 Hakkında
IGC50T120T8RQX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Surface Mount Die paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması görevini üstlenir. 150A pulse akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve renewable energy sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2.42V @ 15V, 50A olup, 1200V Collector-Emitter dönüş gerilimi ile güvenli operasyon sağlar. Standard input tipli kontrol girişi ile kolay entegrasyon imkanı sunar.
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.42V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V