Görsel mevcut değil
IGC50T120T8RLX7SA2
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 50A DIE
IGC50T120T8RLX7SA2 Hakkında
IGC50T120T8RLX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 50A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. Maksimum 1200V kolektör-emiter bozulma voltajı ile çalışan transistör, 50A nominal akım ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.07V on-state voltajı ile verimliliği artırırken, standart giriş tiplemesi ile kontrol devrelerinin basit tutulmasını sağlar. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve solar inverterler gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Aktif üretim durumunda olan bu bileşen, DIE format şeklinde sunulmaktadır.
Ürün Özellikleri
6 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Part Status
Active
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.07V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V