Görsel mevcut değil
IGC36T120T8LX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 35A DIE
IGC36T120T8LX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IGC36T120T8LX1SA1, 1200V Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) die bileşenidir. 35A nominal kolektör akımı ile tasarlanan bu transistör, 105A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Die form faktörü ile sunulan bileşen, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalarda doğrudan entegre edilebilir. 2.07V (15V gate, 35A kolektör akımında) Vce(on) değeri ile verimli iletim karakteristiği sağlar. -40°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. Standard giriş tipi yapısı, kontrol devreleri ile kolay entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.07V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V