Görsel mevcut değil
IGC27T120T8QX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 25A DIE
IGC27T120T8QX1SA1 Hakkında
IGC27T120T8QX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 25A IGBT transistörtür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu die formundaki bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.42V maksimum Vce(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sunar. 75A pulse collector akımı ve -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount die paketinde sunulan bu komponent, yüksek entegrasyon gerektiren kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.42V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V