Görsel mevcut değil
IGC15T65QEX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IGC15T65QEX1SA1 Hakkında
IGC15T65QEX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen tek chip IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılan bu bileşen, 650V maksimum collector-emitter kapanma gerilimi ve 30A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 90A pulsed akım kapasitesi bulunmaktadır. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 2.32V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri, endüstriyel uygulamalar ve yüksek frekanslı anahtarlama devreleri gibi alanlarda yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.32V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V