Görsel mevcut değil
IGC11T120T8LX1SA1
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
IGC11T120T8LX1SA1 Hakkında
IGC11T120T8LX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip 1200V IGBT transistördür. Surface mount die paketinde sunulan bu komponent, 8A kollektör akımı ve maksimum 24A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 15V gate geriliminde 8A akımda maksimum 2.07V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrolü devrelerinde kullanılır. Standard giriş türü ve Die paket format ile endüstriyel ve ticari anahtarlama uygulamaları için uygun bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Market
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.07V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V