Görsel mevcut değil
IGB50N65S5ATMA1
IGB50N65S5ATMA1 Hakkında
IGB50N65S5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 400V/50A test koşullarında 1.7V Vce(on) değeri ile verimli çalışır. On/off geçiş süreleri sırasıyla 20ns/139ns olup, anahtarlama enerjileri 1.23mJ (on) ve 740µJ (off)'tir. 270W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Şalter konvektörleri, inverterler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
270 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
1.23mJ (on), 740µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/139ns
Test Condition
400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V