Görsel mevcut değil
IGB30N60H3ATMA1
IGB30N60H3ATMA1 Hakkında
IGB30N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/60A rated Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız ve düşük kayıp özelliği ile tasarlanmıştır. 187W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 120A pulse akımı ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. Switching Energy değeri 1.17mJ olup, Td(on) 18ns ve Td(off) 207ns ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) 2.4V (15V, 30A şartlarında) ile düşük iletim kaybı karakteristiği vardır. -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
165 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
187 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Switching Energy
1.17mJ
Td (on/off) @ 25°C
18ns/207ns
Test Condition
400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V