Görsel mevcut değil
IGB20N60H3ATMA1
IGB20N60H3ATMA1 Hakkında
IGB20N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 170W maksimum güç dağıtımı ile AC/DC güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, enerji kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Vce(on) değeri 2.4V (15V, 20A'de) olup, 16ns açılış ve 194ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işletim sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
170 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
690µJ
Td (on/off) @ 25°C
16ns/194ns
Test Condition
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V